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FT838D分為FT838D1,FT838D2
FT838NB分為FT838NB1,FT838NB2
FT838D特點(diǎn):
1、滿足能源之星2.0和5能效;
2、內(nèi)置NPN;
3、批量輸出電壓精度電流精度±5%以內(nèi);
4、保護(hù)功能齊,可靠性好;
5、滿足EN55022 ClassB EMI要求
FT838NB特點(diǎn):
1、滿足能源之星2.0和5能效;
2、批量輸出電壓精度電流精度±5%以內(nèi);
3、保護(hù)功能齊,可靠性好;
4、滿足EN55022 ClassB EMI要求
FT838D的介紹:
、應(yīng)用:充電器、適配器
FT830D(不帶) ft831d(帶線損補(bǔ)償)
FT832DB (帶線損及轉(zhuǎn)燈功能)
FT838D (外置)
FT838NB (內(nèi)置)
FT830系列
二、應(yīng)用:LED
FT830A/D 外置1-18w 封裝:sot23-5 精度:10% 效率:85%以上
FT838R 外置---和830a類似 封裝:sot23-5 方案還沒出來 10w
FT838RNA 內(nèi)置(三極管)—6w以下 封裝:sop-8 精度:5%
應(yīng)用于: (1-3w, 3-6w)led驅(qū)動(dòng)電源 3w bom 精度比830高,
FT838D 是FT831D的升版,,改善噪音,提高精度,待機(jī)功率100mw
FT825 高pf+psr 過ce 隔離 60w以內(nèi) 工作效率88%以上,pf值:0.95
應(yīng)用于:18w (燈管 t8/t5 天花燈)
應(yīng)用于:7-9 12w (球泡)
FT838D的型號(hào)特點(diǎn):
特點(diǎn):
? 節(jié)能模式:脈沖頻率調(diào)制控制模式(PFM)
? 內(nèi)置抖頻功能來改善 EMI性能
? 每個(gè)開關(guān)周期的電流限制
? VCC過壓保護(hù)(OVP)
? 欠壓鎖定(UVLO)
? 輸出短路保護(hù)
? 內(nèi)置輸出線損補(bǔ)償
? 輸入線電壓補(bǔ)償以提高輸出電流精度
FT838D的芯片版本與管腳定義:
芯片版本 | 線損補(bǔ)償比例 |
FT838D0 | 0% |
FT838D1 | 3% |
FT838D2 | 6% |
FT838D3 | 9% |
FT838D內(nèi)置輸出線損補(bǔ)償,用戶可根據(jù)實(shí)際輸出導(dǎo)線情況選擇合適的芯片版本。
FT838NB是適用于5V1A的充電器設(shè)計(jì)方案,適用于5W的充電器方案,電壓輸入范圍適用于世界各地,精簡(jiǎn)的尺寸為更小巧的設(shè)計(jì)打下了基礎(chǔ),且為過五能效以及滿足能源之星2.0,其空載電壓也是小于100mA,紋波也是控制在100mVp之下,保護(hù)功能齊,可靠性好,為充電器的穩(wěn)定性提供了保障,延長了充電器的使用壽命。
1) 交流輸入電壓范圍 90-264Vac 50/60Hz
2) 直流輸出 5V/1.0A
3) 滿足能源之星2.0和5能效的要求并有足夠的余量(板端數(shù)據(jù))
(實(shí)測(cè)平均效率在PCB 板端73.5%以上,能源之星2.0 標(biāo)準(zhǔn)是68.17%)
4) 滿足空載功耗小于100mW (實(shí)測(cè)70mW@230Vac)
5) 滿足EMI EN55022 Class B的要求,并有足夠的余量
6) zui大的輸出紋波小于100mVP-P
7) 系統(tǒng)批量生產(chǎn)保證輸出電壓精度在±5%以內(nèi),輸出電流精度在±5% 以內(nèi)
8) 自恢復(fù)的短路保護(hù)和環(huán)路開路保護(hù)
FMD現(xiàn)推出了FT838MBD、FT839NB、FT839MB三種充電器方案
FT838MBD
1、率 ≥78.7% @115V/230V;
2、低待機(jī)功耗 <120mW;
3、輸出紋波噪音低 <80mV;
4、內(nèi)置MOS,DIP8封裝,IC溫升低,外圍元件少,成本低;
5、在五能效標(biāo)準(zhǔn)基礎(chǔ)上有充足的效率余量;
FT839NB
1、率,可滿足六能效標(biāo)準(zhǔn);
2、低待機(jī)功耗<80mW@264Vac;
3、輸出CV/CC精度 <±5%;
4、內(nèi)置NPN,外圍元件少,系統(tǒng)成本低;
5、保護(hù)功能齊,可靠性好;
6、滿足EN55022 ClassB EMI要求;
FT839MB
1、率,可滿足六能效標(biāo)準(zhǔn);
2、低待機(jī)功耗<80mW@264Vac;
3、輸出CV/CC精度 <±5%;
4、內(nèi)置MOS,SOP-8,外圍元件少,系統(tǒng)成本低;
5、保護(hù)功能齊,可靠性好;
6、滿足EN55022 ClassB EMI要求;
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